2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください！

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください！

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました！ 予約していただきありがとうございます！
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > APT75F50B2
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
3939066APT75F50B2絵Microsemi

APT75F50B2

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください：info@ftcelectronics.com

参考価格（USD）

在庫あり
60+
$16.992
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    APT75F50B2
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT75F50B2.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 2.5mA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    T-MAX™ [B2]
  • シリーズ
    POWER MOS 8™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    75 mOhm @ 37A, 10V
  • 電力消費（最大）
    1040W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Variant
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    21 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    11600pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    290nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    500V
  • 詳細な説明
    N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    75A (Tc)

Kioxiaは11月22日に上場承認を受け、市場価値が50億ドルに達す...

11/21/2024

Tower Semiconductorの最新のシリコン光プラットフォームは、1....

11/20/2024

業界はゆっくりと回復します。エピタキシャルサプライヤーIQEは...

11/19/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

11/19/2024

The core value and future development trend of passive comp...

11/18/2024

サプライヤー：多数のRTX 50シリーズGPUコンポーネントが12月に...

11/18/2024

台湾、中国の半導体の出力値は今年22％増加して5.3兆ドルになり...

11/17/2024

OLEDパネルの生産を拡大するLGディスプレイは、ベトナムにさら...

11/15/2024

Amazonは、カスタマイズされたAIチップを作成し、Nvidiaへの依...

11/14/2024

ペガトロンの第3四半期の純利益は4296億ドルで、四半期ごとの減...

11/13/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

11/13/2024

韓国はトランプの脅威に対抗するためにチップ法を制定する予定です

11/13/2024
配送
支払い
「APT75F50B2」関連製品は次のとおりです。
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

説明: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

説明: IGBT 600V 155A 536W TO264

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

説明: MOD DIODE 1200V SOT-227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

説明: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

説明: POWER MOSFET - SIC

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

説明: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN120J

APT75GN120J

説明: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

説明: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

説明: MOD DIODE 1700V SOT-227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

説明: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

説明: IGBT 600V 155A 536W TO264

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

説明: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

説明: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

説明: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

説明: MOD DIODE 600V SOT-227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT70SM70B

APT70SM70B

説明: POWER MOSFET - SIC

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

説明: IGBT 1200V 200A 833W TO264

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT70SM70S

APT70SM70S

説明: POWER MOSFET - SIC

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT75GN60BG

APT75GN60BG

説明: IGBT 600V 155A 536W TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
唯一の公開オープンマーケットディストリビューターとして、私たちはグローバルアクセス、製造業界の専門知識、および実証済みの品質のユニークな組み合わせを持っています。これにより、電子機器コンポーネントソーシングと在庫管理向けのカスタマイズされたエンドツーエンドのサプライチェーンソリューションを作成できます。
フォロー
利用規約侵害ポリシー引用を要求私たちについてお問い合わせサイトマップ

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します