2024年の電子展の聴衆のための指示

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2354629APT70GR120L絵Microsemi

APT70GR120L

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規格
  • 部品型番
    APT70GR120L
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 160A 961W TO264
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT70GR120L.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    3.2V @ 15V, 70A
  • 試験条件
    600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    33ns/278ns
  • エネルギーの切り替え
    3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-264
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    961W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-264-3, TO-264AA
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • ゲートチャージ
    544nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    280A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    160A

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APT75DF170HJ

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APT75DQ100BG

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説明: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

メーカー: Microsemi Corporation
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APT68GA60B2D40

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説明: IGBT 600V 121A 520W TO-247

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RFQ
APT70GR120JD60

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APT66M60B2

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メーカー: Microsemi
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RFQ
APT66M60L

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APT70GR65B2SCD30

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メーカー: Microsemi
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RFQ
APT70SM70J

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RFQ
APT75DL60HJ

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説明: MOD DIODE 600V SOT-227

メーカー: Microsemi
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説明: MOD DIODE 1200V SOT-227

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説明: IGBT 600V 121A 520W TO-264

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RFQ
APT70GR120J

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説明: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

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説明: IGBT 650V 134A 595W TO-247

メーカー: Microsemi
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APT66F60L

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説明: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

メーカー: Microsemi
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APT70GR65B2DU40

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説明: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

メーカー: Microsemi
在庫あり
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説明: POWER MOSFET - SIC

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT68GA60B

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説明: IGBT 600V 121A 520W TO-247

メーカー: Microsemi
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RFQ
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