2024年の電子展の聴衆のための指示

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688420APT65GP60B2G絵Microsemi

APT65GP60B2G

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規格
  • 部品型番
    APT65GP60B2G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 600V 100A 833W TMAX
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT65GP60B2G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    600V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.7V @ 15V, 65A
  • 試験条件
    400V, 65A, 5 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    30ns/91ns
  • エネルギーの切り替え
    605µJ (on), 896µJ (off)
  • シリーズ
    POWER MOS 7®
  • 電力 - 最大
    833W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Variant
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    PT
  • ゲートチャージ
    210nC
  • 詳細な説明
    IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    250A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100A

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APT60S20SG

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APT64GA90LD30

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APT60N60SCSG/TR

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メーカー: Microsemi
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APT64GA90B

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APT68GA60B

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説明: IGBT 600V 121A 520W TO-247

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APT60N60BCSG

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説明: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT66F60B2

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説明: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

メーカー: Microsemi
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APT60S20B2CTG

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説明: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT60S20SG/TR

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説明: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

メーカー: Microsemi Corporation
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APT60N60SCSG

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説明: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

メーカー: Microsemi
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APT65GP60L2DQ2G

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説明: IGBT 600V 198A 833W TO264

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APT66M60B2

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APT68GA60B2D40

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APT66M60L

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メーカー: Microsemi
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APT64GA90B2D30

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説明: IGBT 900V 117A 500W TO-247

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APT66F60L

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説明: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

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APT65GP60J

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説明: IGBT 600V 130A 431W SOT227

メーカー: Microsemi
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APT68GA60LD40

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説明: IGBT 600V 121A 520W TO-264

メーカー: Microsemi
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APT60S20BG

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説明: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

メーカー: Microsemi
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APT6M100K

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説明: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

メーカー: Microsemi
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RFQ
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