2024年の電子展の聴衆のための指示

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3541652APT44F80B2絵Microsemi

APT44F80B2

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規格
  • 部品型番
    APT44F80B2
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.APT44F80B2.pdf
    2.APT44F80B2.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 2.5mA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    T-MAX™ [B2]
  • シリーズ
    POWER MOS 8™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    210 mOhm @ 24A, 10V
  • 電力消費（最大）
    1135W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3 Variant
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    21 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    9330pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    305nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    800V
  • 詳細な説明
    N-Channel 800V 47A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    47A (Tc)

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APT45GP120J

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メーカー: Microsemi
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説明: MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX

メーカー: Microsemi
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説明: IGBT 900V 78A 337W TO-247

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RFQ
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説明: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT44GA60BD30

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説明: IGBT 600V 78A 337W TO-247

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APT45GP120B2DQ2G

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説明: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

メーカー: Microsemi
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APT45GR65B

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説明: IGBT 650V 92A 357W TO-247

メーカー: Microsemi
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APT41M80L

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説明: MOSFET N-CH 800V 43A TO-264

メーカー: Microsemi
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APT43F60L

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説明: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

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説明: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

メーカー: Microsemi
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RFQ
APT44GA60B

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説明: IGBT 600V 78A 337W TO-247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
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