2024年の電子展の聴衆のための指示

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APT25SM120B

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規格
  • 部品型番
    APT25SM120B
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    POWER MOSFET - SIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    +25V, -10V
  • 技術
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    175 mOhm @ 10A, 20V
  • 電力消費（最大）
    175W (Tc)
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    72nC @ 20V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    20V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    1200V
  • 詳細な説明
    N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    25A (Tc)

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APT25GR120B

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APT25GT120BRDQ2G

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APT25GR120S

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APT25GR120SD15

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説明: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

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APT26M100JCU3

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説明: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

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APT28F60B

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