2024年の電子展の聴衆のための指示

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APT25GP120BDQ1G絵

Microsemi

APT25GP120BDQ1G

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規格

部品型番

APT25GP120BDQ1G
メーカー/ブランド

Microsemi
在庫数量

在庫あり
説明

IGBT 1200V 69A 417W TO247
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

1.APT25GP120BDQ1G.pdf
2.APT25GP120BDQ1G.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

1200V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）

3.9V @ 15V, 25A
試験条件

600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃

12ns/70ns
エネルギーの切り替え

500µJ (on), 440µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ

TO-247 [B]
シリーズ

POWER MOS 7®
電力 - 最大

417W
パッケージング

Tube
パッケージ/ケース

TO-247-3
他の名前

APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND
運転温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ

Through Hole
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム

32 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ

Standard
IGBTタイプ

PT
ゲートチャージ

110nC
詳細な説明

IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
電流 - コレクタパルス（ICM）

90A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）

69A

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