2024年の電子展の聴衆のための指示

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APT13GP120BDQ1G

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規格
  • 部品型番
    APT13GP120BDQ1G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 41A 250W TO247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.APT13GP120BDQ1G.pdf
    2.APT13GP120BDQ1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    3.9V @ 15V, 13A
  • 試験条件
    600V, 13A, 5 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    9ns/28ns
  • エネルギーの切り替え
    115µJ (on), 165µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247 [B]
  • シリーズ
    POWER MOS 7®
  • 電力 - 最大
    250W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    APT13GP120BDQ1GMI
    APT13GP120BDQ1GMI-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    PT
  • ゲートチャージ
    55nC
  • 詳細な説明
    IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    50A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    41A

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APT130SM70B

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APT13F120S

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APT13GP120KG

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APT13005SI-G1

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APT130SM70J

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説明: MOSFET N-CH 700V SOT227

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APT13GP120BG

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APT13005STF-G1

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APT14M120B

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APT150GN120JDQ4

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説明: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

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APT13005DTF-G1

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説明: TRANS NPN 450V 4A

メーカー: Diodes Incorporated
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APT14M100B

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説明: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

メーカー: Microsemi
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APT14050JVFR

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説明: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

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説明: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

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APT13005T-G1

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説明: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

メーカー: Diodes Incorporated
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APT13F120B

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説明: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT14F100S

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説明: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
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