2024年の電子展の聴衆のための指示

今すぐあなたの時間を予約してください！

数回クリックして座席を予約し、ブースチケットを入手してください！

ホールC5ホール220ブース

事前に登録します

2024年の電子展の聴衆のための指示
あなたは皆サインアップしました！ 予約していただきありがとうございます！
予約を確認した後、メールでブースチケットをお送りします。
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-igbt-シングル > APT11GF120BRDQ1G
問い合わせ/注文 (0)
日本語
日本語
2882774APT11GF120BRDQ1G絵Microsemi

APT11GF120BRDQ1G

引き合い

連絡先情報を使用して必要なすべてのフィールドを完成させてください。「RFQを送信」をクリックしてください。すぐにメールでお問い合わせください。または私たちにメールしてください：info@ftcelectronics.com
オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    APT11GF120BRDQ1G
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 1200V 25A 156W TO247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT11GF120BRDQ1G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    3V @ 15V, 8A
  • 試験条件
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    7ns/100ns
  • エネルギーの切り替え
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247 [B]
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    156W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • ゲートチャージ
    65nC
  • 詳細な説明
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B]
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    24A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    25A

Kioxiaは11月22日に上場承認を受け、市場価値が50億ドルに達す...

11/21/2024

Tower Semiconductorの最新のシリコン光プラットフォームは、1....

11/20/2024

業界はゆっくりと回復します。エピタキシャルサプライヤーIQEは...

11/19/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

11/19/2024

The core value and future development trend of passive comp...

11/18/2024

サプライヤー：多数のRTX 50シリーズGPUコンポーネントが12月に...

11/18/2024

台湾、中国の半導体の出力値は今年22％増加して5.3兆ドルになり...

11/17/2024

OLEDパネルの生産を拡大するLGディスプレイは、ベトナムにさら...

11/15/2024

Amazonは、カスタマイズされたAIチップを作成し、Nvidiaへの依...

11/14/2024

ペガトロンの第3四半期の純利益は4296億ドルで、四半期ごとの減...

11/13/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

11/13/2024

韓国はトランプの脅威に対抗するためにチップ法を制定する予定です

11/13/2024
配送
支払い
「APT11GF120BRDQ1G」関連製品は次のとおりです。
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

説明: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

説明: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

説明: DIODE SILICON 650V 17A TO220

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

説明: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

説明: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

説明: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

説明: IGBT 1200V 25A 156W TO220

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

説明: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

説明: DIODE SILICON 650V 17A TO220

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

説明: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

説明: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

メーカー: Microsemi Corporation
在庫あり
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

説明: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

説明: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

説明: IGBT 600V 41A 187W TO247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

説明: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

説明: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

説明: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

説明: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

メーカー: Microsemi
在庫あり
RFQ
唯一の公開オープンマーケットディストリビューターとして、私たちはグローバルアクセス、製造業界の専門知識、および実証済みの品質のユニークな組み合わせを持っています。これにより、電子機器コンポーネントソーシングと在庫管理向けのカスタマイズされたエンドツーエンドのサプライチェーンソリューションを作成できます。
フォロー
利用規約侵害ポリシー引用を要求私たちについてお問い合わせサイトマップ

言語を選択してください

空白スペースをクリックして終了します