2024年の電子展の聴衆のための指示

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1N6630US

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規格
  • 部品型番
    1N6630US
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    1N6630US.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.7V @ 3A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    900V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D-5B
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    50ns
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    E-MELF
  • 動作温度 - ジャンクション
    -65°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    4µA @ 100V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    1.4A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

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