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9595141N6625E3絵Microsemi Corporation

1N6625E3

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規格
  • 部品型番
    1N6625E3
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1A
  • 電圧 - ブレークダウン
    A, Axial
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間（trrの）
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    A, Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    80ns
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    1N6625E3
  • 拡張された説明
    Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
  • ダイオード構成
    1µA @ 1000V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.95V @ 1.5A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    1100V (1.1kV)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -65°C ~ 150°C

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