2024年の電子展の聴衆のための指示

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47856321N5419E3絵Microsemi Corporation

1N5419E3

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規格
  • 部品型番
    1N5419E3
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1N5419E3.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    3A
  • 電圧 - ブレークダウン
    -
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Bulk
  • 逆回復時間（trrの）
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    B, Axial
  • 動作温度 - ジャンクション
    250ns
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    1N5419E3
  • 拡張された説明
    Diode Standard 500V 3A Through Hole
  • ダイオード構成
    1µA @ 500V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1.5V @ 9A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    500V
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -65°C ~ 175°C

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説明: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

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説明: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

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説明: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

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