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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

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規格
  • 部品型番
    MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.1V
  • 技術
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • 他の名前
    MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR-ND
    MT53D512M64D4NY-046XTES:ETR
  • 運転温度
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    32Gb (512M x 64)
  • メモリインタフェース
    -
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス
    Lead free
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • クロック周波数
    2133MHz

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MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR

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説明: IC DRAM 32G 2133MHZ

メーカー: Micron Technology
在庫あり
RFQ
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

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説明: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

メーカー: Micron Technology
在庫あり
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

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説明: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

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説明: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT53D512M64D4NW-053 WT:D

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説明: IC DRAM 32G 1866MHZ

メーカー: Micron Technology
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:D

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説明: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR

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説明: IC DRAM 32G 1866MHZ

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MT53D512M64D4NW-062 WT:D

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MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

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説明: IC DRAM 32G 1866MHZ

メーカー: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR

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説明: IC DRAM 32G 1866MHZ

メーカー: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E

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説明: IC DRAM 32G 2133MHZ

メーカー: Micron Technology
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MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR

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説明: IC DRAM 32G 1600MHZ

メーカー: Micron Technology
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

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MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D

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MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR

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説明: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

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MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D

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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E

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MT53D512M64D4NW-062 WT ES:D TR

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