2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

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規格

部品型番

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

1.1V
技術

SDRAM - Mobile LPDDR4
シリーズ

-
パッケージング

Tape & Reel (TR)
他の名前

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR-ND
MT53B512M64D4NJ-062WTES:BTR
運転温度

-30°C ~ 85°C (TC)
水分感受性レベル（MSL）

3 (168 Hours)
メモリタイプ

Volatile
記憶容量

32Gb (512M x 64)
メモリインタフェース

-
メモリ形式

DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
クロック周波数

1600MHz

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