2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT53B256M32D1DS-062 XT:C

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規格

部品型番

MT53B256M32D1DS-062 XT:C
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC DRAM 8G 1600MHZ
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

1.1V
技術

SDRAM - Mobile LPDDR4
シリーズ

-
他の名前

MT53B256M32D1DS-062 XT:C-ND
MT53B256M32D1DS-062XT:C
運転温度

-30°C ~ 105°C (TC)
水分感受性レベル（MSL）

3 (168 Hours)
メモリタイプ

Volatile
記憶容量

8Gb (256M x 32)
メモリインタフェース

-
メモリ形式

DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
クロック周波数

1600MHz

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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

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MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

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説明: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

メーカー: Micron Technology

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MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

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説明: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

メーカー: Micron Technology

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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

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MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

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説明: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

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MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

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MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

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説明: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

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説明: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

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