2024年の電子展の聴衆のための指示

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5638429MT49H32M18SJ-18:B絵Micron Technology

MT49H32M18SJ-18:B

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規格
  • 部品型番
    MT49H32M18SJ-18:B
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    DRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    144-FBGA (18.5x11)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    144-TFBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    576Mb (32M x 18)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 533MHz 15ns 144-FBGA (18.5x11)
  • クロック周波数
    533MHz
  • アクセス時間
    15ns
MT49H32M18SJ-18:B TR

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説明: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

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説明: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT49H32M18CSJ-25E IT:B

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説明: IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT49H32M9BM-33:B

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説明: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

メーカー: Micron Technology
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