2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT47R256M8EB-25E:C

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規格
  • 部品型番
    MT47R256M8EB-25E:C
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MT47R256M8EB-25E:C.pdf
  • ECADモデル
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.55 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SDRAM - DDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    60-FBGA (9x11.5)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    60-FBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    2Gb (256M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • クロック周波数
    400MHz
  • ベース部品番号
    MT47R256M8
  • アクセス時間
    400ps

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MT48H16M16LFBF-6 IT:H

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RFQ
MT47H64M8SH-25E AIT:H

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR

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MT47R128M8CF-25:H

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MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR

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MT48H16M16LFBF-6:H

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

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メーカー: Micron Technology
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MT47R512M4EB-25E:C

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説明: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47R64M16HR-25:H

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

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MT48FN

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MT47H64M8SH-25E IT:H

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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