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MT47H512M4THN-25E:H

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規格
  • 部品型番
    MT47H512M4THN-25E:H
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MT47H512M4THN-25E:H.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SDRAM - DDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    63-FBGA (8x10)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    63-TFBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    2Gb (512M x 4)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
  • クロック周波数
    400MHz
  • ベース部品番号
    MT47H512M4
  • アクセス時間
    400ps

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