2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT47H128M8SH-187E:M

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規格
  • 部品型番
    MT47H128M8SH-187E:M
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    SDRAM - DDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    60-FBGA (8x10)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    60-TFBGA
  • 運転温度
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    1Gb (128M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (8x10)
  • クロック周波数
    533MHz
  • ベース部品番号
    MT47H128M8
  • アクセス時間
    350ps
MT47H128M8HQ-187E:E TR

MT47H128M8HQ-187E:E TR

説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3 L:G TR

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3:E TR

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT47H16M16BG-3 IT:B TR

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

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MT47H16M16BG-3:B TR

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

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MT47H16M16BG-37E:B TR

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M8SH-25E:M

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M8JN-3:H

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MT47H16M16BG-37V:B

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MT47H16M16BG-3E:B

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MT47H128M8HQ-3:G TR

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MT47H128M8HQ-3 IT:G

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M8SH-187E:M TR

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT47H128M8HQ-3 L:G

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M8SH-25E IT:M

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M8SH-25E AAT:M

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MT47H128M8JN-3 IT:H

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MT47H128M8JN-25E:H

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MT47H128M8SH-25E AIT:M

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