2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT46V32M16BN-5B IT:F

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規格
  • 部品型番
    MT46V32M16BN-5B IT:F
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    2.5 V ~ 2.7 V
  • 技術
    SDRAM - DDR
  • サプライヤデバイスパッケージ
    60-FBGA (10x12.5)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    60-TFBGA
  • 他の名前
    MT46V32M16BN-5B IT:F-ND
    MT46V32M16BN-5BIT:F
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (32M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • クロック周波数
    200MHz
  • ベース部品番号
    MT46V32M16
  • アクセス時間
    700ps
MT46V32M16BN-5B L IT:F

MT46V32M16BN-5B L IT:F

説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT46V32M16BN-6:C TR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT46V256M4TG-6T:A TR

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

メーカー: Micron Technology
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MT46V32M16BN-6:C

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V256M4TG-75:A TR

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M16BN-6 IT:F TR

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MT46V32M16BN-6:F TR

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MT46V32M16BN-5B:F TR

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MT46V256M4P-75:A

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

メーカー: Micron Technology
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MT46V256M4P-6T:A

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説明: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

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MT46V16M8TG-75:D TR

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説明: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP

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MT46V32M16BN-6 IT:F

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V32M16BN-5B:C

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MT46V32M16BN-5B:F

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MT46V256M4P-75:A TR

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MT46V16M8TG-75:D

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MT46V32M16BN-5B:C TR

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