2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT41K256M16TW-125:P

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規格
  • 部品型番
    MT41K256M16TW-125:P
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MT41K256M16TW-125:P.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 技術
    SDRAM - DDR3L
  • シリーズ
    -
  • 運転温度
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    4Gb (256M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • クロック周波数
    800MHz
  • アクセス時間
    20ns

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支払い
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MT41K256M16V80AWC1

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MT41K256M16TW-107 AUT:P

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MT41K256M4DA-107:J

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MT41K256M16V00HWC1

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説明: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

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MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

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