2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

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規格

部品型番

MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

1.14 V ~ 1.26 V
技術

SDRAM - DDR4
シリーズ

-
パッケージング

Tape & Reel (TR)
他の名前

MT40A512M8RH-083E AAT:B TR-ND
MT40A512M8RH-083EAAT:BTR
運転温度

-40°C ~ 105°C (TC)
水分感受性レベル（MSL）

3 (168 Hours)
メモリタイプ

Volatile
記憶容量

4Gb (512M x 8)
メモリインタフェース

Parallel
メモリ形式

DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz
クロック周波数

1.2GHz

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