2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT29F512G08AUEBBH8-12:B

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規格

部品型番

MT29F512G08AUEBBH8-12:B
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

2.7 V ~ 3.6 V
技術

FLASH - NAND
シリーズ

-
運転温度

0°C ~ 70°C (TA)
水分感受性レベル（MSL）

3 (168 Hours)
メモリタイプ

Non-Volatile
記憶容量

512Gb (64G x 8)
メモリインタフェース

Parallel
メモリ形式

FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 83MHz
クロック周波数

83MHz

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説明: IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ

メーカー: Micron Technology

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メーカー: Micron Technology

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説明: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

メーカー: Micron Technology

在庫あり

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