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MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR

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規格
  • 部品型番
    MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    FLASH - NAND
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • 他の名前
    MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR-ND
    MT29F256G08EFEBBWP-M:BTR
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    256Gb (32G x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    FLASH
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel

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説明: IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

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説明: TLC 256G DIE 32GX8

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説明: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

メーカー: Micron Technology
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MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E

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説明: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

メーカー: Micron Technology
在庫あり
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MT29F2G01AAAEDH4:E

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説明: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

メーカー: Micron Technology
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説明: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

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説明: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

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