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MT29E3T08EUHBBM4-3:B

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規格

部品型番

MT29E3T08EUHBBM4-3:B
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
フリーステータス/ RoHS状態
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

2.5 V ~ 3.6 V
技術

FLASH - NAND
シリーズ

-
運転温度

0°C ~ 70°C (TA)
メモリタイプ

Non-Volatile
記憶容量

3Tb (384G x 8)
メモリインタフェース

Parallel
メモリ形式

FLASH
詳細な説明

FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz
クロック周波数

333MHz

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