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2402521

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

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規格
  • 部品型番
    MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.5 V ~ 3.6 V
  • 技術
    FLASH - NAND
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • 他の名前
    MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR-ND
    MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:BTR
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    1Tb (128G x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    FLASH
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) Parallel 333MHz
  • クロック周波数
    333MHz

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説明: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

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MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR

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説明: IC FLASH 128G PARALLEL 132VBGA

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MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

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説明: IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA

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MT29E256G08CECCBH6-6:C

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説明: IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA

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MT29E256G08CECBBH6-6:B TR

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MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

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説明: IC FLASH 1.5T PARALLEL 132VBGA

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MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

説明: IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA

メーカー: Micron Technology
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