2024年の電子展の聴衆のための指示

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規格

部品型番

EDB8164B4PR-1D-F-D
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

EDB8164B4PR-1D-F-D.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

1.14 V ~ 1.95 V
技術

SDRAM - Mobile LPDDR2
サプライヤデバイスパッケージ

216-FBGA (12x12)
シリーズ

-
パッケージング

Tray
パッケージ/ケース

216-WFBGA
運転温度

-30°C ~ 85°C (TC)
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

3 (168 Hours)
メモリタイプ

Volatile
記憶容量

8Gb (128M x 64)
メモリインタフェース

Parallel
メモリ形式

DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 216-FBGA (12x12)
クロック周波数

533MHz

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