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Micron Technology

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

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規格

部品型番

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
メーカー/ブランド

Micron Technology
在庫数量

在庫あり
説明

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-
電源電圧 -

1.14 V ~ 1.95 V
技術

SDRAM - Mobile LPDDR2
サプライヤデバイスパッケージ

134-VFBGA (10x11.5)
シリーズ

-
パッケージング

Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース

134-VFBGA
他の名前

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-ND
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-ND
EDB5432BEBH-1DAAT-F-RTR
運転温度

-40°C ~ 105°C (TC)
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

3 (168 Hours)
メモリタイプ

Volatile
記憶容量

512Mb (16M x 32)
メモリインタフェース

Parallel
メモリ形式

DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
クロック周波数

533MHz

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