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規格
  • 部品型番
    EDB4432BBBJ-1D-F-D
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    EDB4432BBBJ-1D-F-D.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 技術
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • サプライヤデバイスパッケージ
    134-FBGA (10x11.5)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    134-WFBGA
  • 運転温度
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    4Gb (128M x 32)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • クロック周波数
    533MHz

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