2024年の電子展の聴衆のための指示

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UMB3NFHATN

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規格
  • 部品型番
    UMB3NFHATN
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.UMB3NFHATN.pdf
    2.UMB3NFHATN.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    2 PNP Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    UMT6
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 電力 - 最大
    150mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 他の名前
    UMB3NFHATNTR
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    7 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    100 @ 1mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA

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