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3565977SCT3120ALGC11絵LAPIS Semiconductor

SCT3120ALGC11

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規格
  • 部品型番
    SCT3120ALGC11
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET NCH 650V 21A TO247N
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.SCT3120ALGC11.pdf
    2.SCT3120ALGC11.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5.6V @ 3.33mA
  • Vgs（最大）
    +22V, -4V
  • 技術
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247N
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    156 mOhm @ 6.7A, 18V
  • 電力消費（最大）
    103W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    460pF @ 500V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    38nC @ 18V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    18V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    21A (Tc)

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