2024年の電子展の聴衆のための指示

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7030471RUR040N02TL絵LAPIS Semiconductor

RUR040N02TL

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規格
  • 部品型番
    RUR040N02TL
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RUR040N02TL.pdf
    2.RUR040N02TL.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.3V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSMT3
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    35 mOhm @ 4A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    1W (Ta)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SC-96
  • 他の名前
    RUR040N02MGTL
    RUR040N02TLCT
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    680pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    8nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.5V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    4A (Ta)

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RURD620CCS9A

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RURD4120S9A

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RURD660S9A

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RUR020N02TL

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説明: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RURD620CCS9A-F085

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RURD4120S9A-F085

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説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 4A TO252

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RURD660S9A-F085

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説明: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
RURD620CCS9A_F085

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説明: DIODE ARRAY GP 200V 6A DPAK

メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
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RURD620CCS9A-F085P

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説明: UFDR DPAK PN 6A 200V

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RUR6712CB

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RURD660

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説明: DIODE GEN PURP 600V 6A TO251

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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