2024年の電子展の聴衆のための指示

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3633952

LAPIS Semiconductor

RT1A050ZPTR

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規格

部品型番

RT1A050ZPTR
メーカー/ブランド

LAPIS Technology
在庫数量

在庫あり
説明

MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
フリーステータス/ RoHS状態

鉛フリー/ RoHS準拠
仕様書

1.RT1A050ZPTR.pdf
2.RT1A050ZPTR.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）

1V @ 1mA
Vgs（最大）

±10V
技術

MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ

8-TSST
シリーズ

-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）

26 mOhm @ 5A, 4.5V
電力消費（最大）

600mW (Ta)
パッケージング

Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース

8-SMD, Flat Lead
他の名前

RT1A050ZPCT
運転温度

150°C (TJ)
装着タイプ

Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）

1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム

10 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス

Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds

2800pF @ 6V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs

34nC @ 4.5V
FETタイプ

P-Channel
FET特長

-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

1.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン

12V
詳細な説明

P-Channel 12V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）

5A (Ta)

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