2024年の電子展の聴衆のための指示

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750714RR2L6SDDTE25絵LAPIS Semiconductor

RR2L6SDDTE25

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規格
  • 部品型番
    RR2L6SDDTE25
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RR2L6SDDTE25.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.1V @ 2A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PMDS
  • 速度
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    DO-214AC, SMA
  • 他の名前
    RR2L6SDDTE25TR
  • 動作温度 - ジャンクション
    150°C (Max)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    2A
  • Vrと、F @キャパシタンス
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