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5437322RQ7E110AJTCR絵LAPIS Semiconductor

RQ7E110AJTCR

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規格
  • 部品型番
    RQ7E110AJTCR
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RQ7E110AJTCR.pdf
    2.RQ7E110AJTCR.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.5V @ 10mA
  • Vgs（最大）
    ±12V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TSMT8
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    9 mOhm @ 4.5A, 11V
  • 電力消費（最大）
    1.5W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SMD, Flat Lead
  • 他の名前
    RQ7E110AJTCRTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2410pF @ 15V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    11A (Tc)

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説明: RES 909 OHMS 0.1% 0.4W 1206

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