2024年の電子展の聴衆のための指示

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6107621RHU003N03FRAT106絵LAPIS Semiconductor

RHU003N03FRAT106

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規格
  • 部品型番
    RHU003N03FRAT106
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RHU003N03FRAT106.pdf
    2.RHU003N03FRAT106.pdf
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    UMT3
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.2 Ohm @ 300mA, 10V
  • 電力消費（最大）
    200mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SC-70, SOT-323
  • 他の名前
    RHU003N03FRAT106TR
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    20pF @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    300mA (Ta)

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