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4477019RGTH80TS65DGC11絵LAPIS Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

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規格
  • 部品型番
    RGTH80TS65DGC11
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 650V 70A 234W TO-247N
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RGTH80TS65DGC11.pdf
    2.RGTH80TS65DGC11.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2.1V @ 15V, 40A
  • 試験条件
    400V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    34ns/120ns
  • エネルギーの切り替え
    -
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247N
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    58ns
  • 電力 - 最大
    234W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    15 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    79nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    160A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    70A

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RGTH60TS65DGC11

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RGTH50TS65DGC11

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RGTH40TS65DGC11

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RGTH80TS65GC11

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RGTH00TS65DGC11

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RGTH40TS65GC11

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RGTV00TK65GVC11

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RFQ
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