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2613404RFN30TS6SGC11絵LAPIS Semiconductor

RFN30TS6SGC11

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規格
  • 部品型番
    RFN30TS6SGC11
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.RFN30TS6SGC11.pdf
    2.RFN30TS6SGC11.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.55V @ 30A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    60ns
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 動作温度 - ジャンクション
    150°C (Max)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-247
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    30A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

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