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4481007RF301BGE2STL絵LAPIS Semiconductor

RF301BGE2STL

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規格
  • 部品型番
    RF301BGE2STL
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RF301BGE2STL.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    930mV @ 3A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    200V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-252GE
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    25ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    RF301BGE2STL-ND
    RF301BGE2STLTR
  • 動作温度 - ジャンクション
    150°C (Max)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    80 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252GE
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 200V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    3A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -

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RF305BM6STL

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RF301BM2STL

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説明: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF301B2STL

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説明: DIODE GEN PURP 200V 3A CPD

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RF302LAM2STFTR

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説明: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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