2024年の電子展の聴衆のための指示

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2974906RDX060N60FU6絵LAPIS Semiconductor

RDX060N60FU6

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規格
  • 部品型番
    RDX060N60FU6
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RDX060N60FU6.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220FM
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.2 Ohm @ 3A, 10V
  • 電力消費（最大）
    40W (Tc)
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    950pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    25nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    6A (Ta)

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TK80S06K3L(T6L1,NQ

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RFP30N06LE

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RDX045N60FU6

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メーカー: LAPIS Semiconductor
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SI5441DC-T1-GE3

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RDX080N50FU6

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VN2222LLRLRAG

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説明: MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92

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FQA16N50-F109

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RDX120N50FU6

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IXFY4N60P3

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