2024年の電子展の聴衆のための指示

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5887240RCD100N19TL絵LAPIS Semiconductor

RCD100N19TL

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規格
  • 部品型番
    RCD100N19TL
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    RCD100N19TL.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    CPT3
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    182 mOhm @ 5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    850mW (Ta), 20W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    RCD100N19TLTR
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2000pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    52nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    190V
  • 詳細な説明
    N-Channel 190V 10A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    10A (Tc)

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RCD050N20TL

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RCDX60-26D28

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RCDX60-32D28

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説明: MONOCRIMP SUBMIN COAX, F

メーカー: Souriau Connection Technology
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