2024年の電子展の聴衆のための指示

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2786059R6030KNXC7絵LAPIS Semiconductor

R6030KNXC7

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規格
  • 部品型番
    R6030KNXC7
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    R6030KNXC7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220FM
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    86W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    13 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2350pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    56nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    30A (Tc)

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R6030635ESYA

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R6030822PSYA

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説明: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

メーカー: Powerex, Inc.
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R6030ENX

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説明: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

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R6031022PSYA

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R6031025HSYA

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説明: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

メーカー: Powerex, Inc.
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R6030622PSYA

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説明: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

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R6030KNZ1C9

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R6031425HSYA

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説明: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

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R6030MNX

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説明: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

メーカー: LAPIS Semiconductor
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R6030ENZC8

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説明: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030835ESYA

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説明: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

メーカー: Powerex, Inc.
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R6030ENZ1C9

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説明: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

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R6031035ESYA

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説明: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

メーカー: Powerex, Inc.
在庫あり
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R6030625HSYA

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説明: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

メーカー: Powerex, Inc.
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R6030825HSYA

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説明: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

メーカー: Powerex, Inc.
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