2024年の電子展の聴衆のための指示

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2710152R6015KNZC8絵LAPIS Semiconductor

R6015KNZC8

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規格
  • 部品型番
    R6015KNZC8
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    R6015KNZC8.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-3PF
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    60W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-3P-3 Full Pack
  • 他の名前
    R6015KNZC8TR
    R6015KNZC8TR-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    15 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1050pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    27.5nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    Schottky Diode (Isolated)
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    15A (Tc)

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R6020422PSYA

R6020422PSYA

説明: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

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説明: NCH 600V 15A POWER MOSFET

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説明: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

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R60200-1CR

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説明: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

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説明: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

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説明: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

メーカー: Bussmann (Eaton)
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R6015ANZC8

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説明: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R60200-1CRQ

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説明: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

メーカー: Bussmann (Eaton)
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R6020225HSYA

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説明: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

メーカー: Powerex, Inc.
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R6018ANJTL

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メーカー: LAPIS Semiconductor
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R6015KNX

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説明: NCH 600V 15A POWER MOSFET

メーカー: LAPIS Semiconductor
在庫あり
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

説明: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

メーカー: LAPIS Semiconductor
在庫あり
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

説明: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

メーカー: LAPIS Semiconductor
在庫あり
RFQ
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