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4551043IMD9AT108絵LAPIS Semiconductor

IMD9AT108

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規格
  • 部品型番
    IMD9AT108
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.IMD9AT108.pdf
    2.IMD9AT108.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SMT6
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    47 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    10 kOhms
  • 電力 - 最大
    300mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SC-74, SOT-457
  • 他の名前
    IMD9AT108TR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    68 @ 5mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA
  • ベース部品番号
    *MD9

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