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1809260EMZ1T2R絵LAPIS Semiconductor

EMZ1T2R

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規格
  • 部品型番
    EMZ1T2R
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.EMZ1T2R.pdf
    2.EMZ1T2R.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    NPN, PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    EMT6
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    150mW
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SOT-563, SOT-666
  • 他の名前
    EMZ1T2RCT
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    180MHz, 140MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    120 @ 1mA, 6V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    150mA
  • ベース部品番号
    *MZ1

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