2024年の電子展の聴衆のための指示

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5872964EMA3T2R絵LAPIS Semiconductor

EMA3T2R

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規格
  • 部品型番
    EMA3T2R
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    300mV @ 250µA, 5mA
  • トランジスタ型式
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    EMT5
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース(R2)
    -
  • 抵抗器 - ベース(R1)
    4.7 kOhms
  • 電力 - 最大
    150mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    100 @ 1mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    500nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    100mA
EMA40DRMI

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EMA40DRMH-S288

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EMA36DTMH

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EMA36DTMZ-S664

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EMA36DTMT

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EMA40DRMD-S288

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EMA40DRMT

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