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1204682DTC143ZUAT106絵Rohm Semiconductor

DTC143ZUAT106

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規格
  • 部品型番
    DTC143ZUAT106
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    DTC143ZUAT106.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    100mA
  • 電圧 - ブレークダウン
    UMT3
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    50V
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Tape & Reel (TR)
  • 抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）
    4.7k
  • 抵抗 - ベース（R1）（オーム）
    250MHz
  • 電力 - 最大
    200mW
  • 偏光
    SC-70, SOT-323
  • 他の名前
    DTC143ZUAT106-ND
    DTC143ZUAT106TR
  • ノイズ指数（F @デシベル標準）
    47k
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 製造元の部品番号
    DTC143ZUAT106
  • 周波数 - トランジション
    80 @ 10mA, 5V
  • 拡張された説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    500nA
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    300mV @ 250µA, 5mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    NPN - Pre-Biased

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説明: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

メーカー: LAPIS Semiconductor
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