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6971488DTC115TUAT106絵LAPIS Semiconductor

DTC115TUAT106

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規格
  • 部品型番
    DTC115TUAT106
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.DTC115TUAT106.pdf
    2.DTC115TUAT106.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 100µA, 1mA
  • トランジスタ型式
    NPN - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    UMT3
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    100 kOhms
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SC-70, SOT-323
  • 他の名前
    DTC115TUAT106-ND
    DTC115TUAT106TR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    100 @ 1mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA
  • ベース部品番号
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