2024年の電子展の聴衆のための指示

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1903076DTB123YUT106絵LAPIS Semiconductor

DTB123YUT106

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規格
  • 部品型番
    DTB123YUT106
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.DTB123YUT106.pdf
    2.DTB123YUT106.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    PNP - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    UMT3
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    10 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    2.2 kOhms
  • 電力 - 最大
    200mW
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    SC-70, SOT-323
  • 他の名前
    DTB123YUT106DKR
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    200MHz
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    56 @ 50mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    500mA
  • ベース部品番号
    DTB123

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