2024年の電子展の聴衆のための指示

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4781737BSM120D12P2C005絵LAPIS Semiconductor

BSM120D12P2C005

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規格
  • 部品型番
    BSM120D12P2C005
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.BSM120D12P2C005.pdf
    2.BSM120D12P2C005.pdf
    3.BSM120D12P2C005.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.7V @ 22mA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Module
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    -
  • 電力 - 最大
    780W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    Module
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    14000pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    -
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET特長
    Silicon Carbide (SiC)
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    1200V (1.2kV)
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    120A (Tc)

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