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6999464BC858BWT106絵LAPIS Semiconductor

BC858BWT106

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規格
  • 部品型番
    BC858BWT106
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.BC858BWT106.pdf
    2.BC858BWT106.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    30V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    650mV @ 5mA, 100mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    UMT3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    350mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SC-70, SOT-323
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    10 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    250MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount UMT3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    210 @ 2mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100nA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA
  • ベース部品番号
    BC85*

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